¹ Інститут фізики напівпроводників заснований у 1960р., в 2002р. інституту привласнене ім'я Вадима Євгеновича Лашкарева. Зараз інститут займається розробкою напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання.

Академік Вадим Євгенович Лашкарев (1903-1974) - народився у Києві в родині юриста, батько, Євгеній Іванович - прокурор Київської судової палати.
Після закінчення Київського інституту народної освіти (Київський національний університет ім. Тараса Шевченка) Вадим Євгенович навчався в аспірантурі науково-дослідної кафедри фізики Київського політехнічного інституту (1924-1927), одночасно працюючи там викладачем.
у 1929р. на запрошення академіка А.Ф.Іоффе переїздіть в Ленінград до Фізико-технічного інституту, де на протязі п'яти років спочатку керує відділом рентгенівських променів, а потім відділом дифракції електронів.
У 1939р. Лашкарьов, на запрошення АН УРСР, повертається до Києва, де очолює відділ напівпровідників Інституту фізики Академії наук УРСР і кафедру фізики Київського університету.
1960-1970 - засновник і директор Інституту напівпровідників НАН України.
У 1941р. першим у світі експериментально виявив p-n перехід і розкрив механізм электронно-діркової дифузії на основі яких під його керівництвом у роки війни (1941-1945р.) були створені перші напівпровідникові діоди, а на початку 50-х років - перші напівпровідникові тріоди.
Цілком справедливо його вважають одним з перших у світі основоположників напівпроводникової мікроелектроніки.
   Створив фотоелементи з антізапорним шаром, відкрив (1946) біполярну дифузію нерівноважних носіїв струму, провів (1948-1970) фундаментальні дослідження фотоелектричних явищ в напівпровідниках.
Помер і похований у Києві.


Але...

1956 рік. У Стокгольмському концертом залі три американських вчених Джон Бардін, Вільям Шоклі і Уолтер Браттейн отримують Нобелівську премію "за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту" - справжній прорив в галузі фізики. Відтепер їх імена назавжди вписані у світову науку.
Але більш ніж за 15 років до цього, на початку 1941 року молодий український вчений Вадим Лашкарьов експериментально виявив і описав у своїй статті фізичне явище, яке, як виявилося, згодом отримало назву p-n перехід (p-positive, n-negative). Він же в своїй статті розкрив і механізм інжекції - найважливішого явища, на основі якого діють напівпровідникові діоди і транзистори.